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Patent
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율특성이 우수하고 장기 충방전시 가스발생이 없는 질소가 도핑된 그래핀 양자점이 부착된 LTO 음극재료
김재현
;
피로즈칸
;
오미솔
333
ZnO:Al:Ag 패시베이션 층의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 ZnO:Al:Ag 패시베이션 층
김재현
;
백성호
;
피로즈칸
509
질소 도핑된 그래핀 양자점 제조방법, 질소 도핑된 그래핀 양자점 및 질소 도핑된 그래핀 양자점을 포함하는 태양전지
김재현
;
피로즈칸
463
질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 질소가 도핑된 환원된 그래핀 옥사이드
김재현
;
백성호
;
피로즈칸
162
율특성이 우수하고 장기 충방전시 가스발생이 없는 질소가 도핑된 그래핀 양자점이 부착된 LTO 음극재료
김재현
;
오미솔
;
피로즈칸
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